JVAM-1型非自耗电弧炉
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產品描述
參數
1、 设备用途:製備各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料的设备,包括研发型、中试型和生产型设备;
1.1 石英管式感应加热反应系统用于羟基,羰基金属化合物的反应提纯,生产高纯金属;
1.2 不锈钢封闭炉室,射频感应加热,用于化合物半导体材料的薄膜生长等,适合大专院校、科研院所对化合物半导体材料薄膜的科研与小批量制备
2.技术数据:
温度范围 | 室温-1200°C | 控温精度 | ±1℃ |
极限真空度(分子泵系统) | 6.67×10-5Pa(冷态) | 压升率 | <0.33Pa/H |
工艺压力 | 13.3-266Pa | 加热方式 |
石英管反应器,外部线圈高频感应加热; 不锈钢反应器,射频感应石墨基底加热; |
2.1带质量流量控制器的气体混合系统;
2.2可采用3-5路金属有机源,4-6路气态源
2.3装片能力1-6片
2.4配备进气管路温度控制系统
2.5配备尾气分解及无害排放处理系统
2.6选配手套箱
2.7设备可靠性高,重复性强
3.技术规格:JMOC/G型 G 代表石英管式; JMOC/M型 M 代表不锈钢封闭式;
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