JVAM-1型非自耗电弧炉
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產品描述
參數
1、 設備用途:本設備採用等離子體增強在化學氣相沉積工藝,在光学玻璃等沉底材料上沉积半导体薄膜材料,制备非晶硅和微晶硅半导体薄膜器件,可用于氧化硅、氮化硅、碳化硅及类金刚石碳的沉积。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
2.技术数据:
样品最大尺寸 | Dn150mm | 样片加热台加热温度 | 室温-800℃ |
极限真空度(分子泵系统) | 6.7×10-5Pa(冷态) | 压升率 | ≤0.33Pa/H |
PECVD镀膜电源功率 | 500W-1000W | PECVD镀膜室气路 | 三路 |
引出束斑直径 | Φ100mm | 平均束流强度 | 10mA |
单电荷离子能量 | 20~100Kev |
2.1PECVD镀膜电源射频电源
2.2离子注入源金属离子注入源:离子种类:金属和导电材料、碳等;
2.3操作方式采用远控进行注入工艺;
2.4防护离子注入室侧面设有铅屏蔽及不锈钢装饰层;采用铅玻璃观察窗;
2.5真空室材质双层水冷,不锈钢
3.技术规格:JPEC/n-xxx N=1/2/3 真空室数量 xxx 沉积室内径
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